La nouvelle mémoire flash PRAM, ou PCM (Phase Change Memory) sera bientôt prête pour l'année prochaine.



Avec un taux de transfert approximativement 100.000 fois plus rapide que la mémoire Flash actuelle et une vitesse d’écriture qui descend de 1ms à 10ns/octet, sa durée de vie est 1000 fois supérieure à la mémoire actuelle car la mémoire flash peine après 100.000 écritures/secteur, alors que la PCM continuera sa route et peut aller jusqu'à 100.000.000 d’écritures/secteur avant de rendre l'âme. Qui dit mieux?

Seule ombre au tableau, elle est très gourmande en énergie parce qu'elle elle a besoin d'un important voltage pour pouvoir fonctionner correctement. Mais on espère qu'ils trouveront une solution à ce petit problème mineur.

Source et l'article complet : Uberreview
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